OE750: 解答您的疑问

都不是。OE750使用先进的CMOS检测器，CMOS检测器是基于半导体的传感器（与CCD检测器的情形相同）。与光电倍增管（PMT）系统相比，基于半导体的系统更具优势，因为其涵盖更广泛的波长范围，由此适用于更多元素。虽然PMT技术可实现在低灵敏度时的优良检出限，但每台传感器仅可涵盖有限的波长。这意味着您需要在一台光谱仪中使用多个PMT检测器以涵盖更广泛范围内的元素，而增加额外的性能意味着增加额外的检测器，这将导致成本增加，甚至由于此类检测器的几何尺寸太大而无法将其添加至光学系统中。

由于CMOS检测器具有比标准CCD技术更高的分辨率和更广的动态范围，因此使用CMOS检测器可带来更好的分析性能——正如在OE750中所见的情形一样。这意味着在金属分析中，我们可涵盖整个波长范围：从119nm到766nm，这包括从氢到铀的所有元素（取决于应用领域和基体）。

简而言之，CMOS检测器可同时为您提供这两种技术的优势：您可获得PMT所提供的非常低检出限和同等灵敏度，以及CCD所提供的全光谱范围。

就上述所有基体而言，每次激发的标准检测时间均在15秒以下。以下举例说明：

铝基体：每次激发14.5秒。

钢基体：每次激发12.5秒。

其他基体：每次激发11-12秒。

OE750的设计支持轮班制工作，即24/7轮班制；同时，如果我们假设每件样品激发两次，则每天可完成数百个样品分析。

但是，维护工作将对此产生影响。您需要清理火花台的频率取决于基体。如果是钢基体，我们建议每2000次激发后清洁一次；如果是铝基体，我们建议每1000次激发后清洁一次。这是因为材料的熔点越低，在激发过程中沉积的材料就越多，由此将缩短清洁的时间间隔。通过无光纤的直接光路，可尽可能减少OE750的维护工作（以及故障停机时间）。但是，如果您需要大量、连续使用光谱仪，则我们建议我们的服务团队每年至少为您提供一次服务，以清理和维护您的光谱仪。

这取决于您所开展检测的次数；但是如果我们模拟几种场景，我们可以计算出一年的氩气使用量。

氩气的恒流定量消耗为12 L / h且分析流量为50 L / h。假设我们正在检测钢，则检测时间为12.5秒。对于第一种场景，我们假设每天激发100次、每年工作200天且系统24小时处于待机状态。则在此种情况下，您每年需要六瓶50 L/ 200 bar的氩气。

如果您每天测量300件样品，同时所有其他因素保持不变，则您需要七瓶氩气。

我们需要说明的是，由于OE750使用具备低氩气流吹扫功能的独特中压系统，因此用于光学洁净度的氩气使用量非常低。这意味着我们可使用无油隔膜泵，以降低污染物进入光室的风险。

因此，当您购买光谱仪时，您还应考虑运营成本，原因是运营成本很容易对总投资产生重大影响。

这取决于光谱仪的初始状态。例如，针对交付后首次安装的光谱仪，氩气净化光室将耗时12个小时。（我们将其称为运行完整的泵循环）。但是，光谱仪一旦安装后，您应确保您的系统处于待机模式——这可确保光室始终被氩气包围。

但是，现在让我们看一下可能会关闭光谱仪的情况：

周末关闭光谱仪，但有氩气流

您需要运行泵短循环（将耗时15分钟），并对激发样品进行五次检测（例如，铁基中激发样品是RE12）。该步骤对于获得良好的激发斑点并使氩气重新激活至火花台而言是必需的。

周末关闭光谱仪，但没有氩气流

与上一种有氩气流的情况完全一致。但是，我们强烈建议您在每次关闭光谱仪后使用为该程序提供的检查样品样进行洁净度测试。您很容易就能完成该检查，且耗时不到一分钟。

假期关闭光谱仪

在此种情况下，您应运行12小时的泵长循环，同时您应进行洁净度测试并检查激发样品以确认激发斑点。

是的，这确实会影响分析准确度。与覆盖14 mm完整火花台孔径的样品相比，精确度和准确度存在细微偏差。产生这种偏差的原因在于空气进入火花间隙，从而造成干扰。OE750具有独特的喷射气流技术，该技术可大幅度地降低此类干扰的影响，但是随着直径的减小，来自周围空气的干扰的作用更大。

另一个问题是氮和硼是氮化硼垫片本身的一部分，因此无法分析氮和硼。我们目前正在研发氮化硼的替代品，以便可以分析氮和硼。但是很遗憾，分析氮气的问题仍未解决，因为从周围空气中通过火花台间隙而进入设备的氮气含量过多。

如果您想了解更多关于OE750性能的信息，请联系我们。